富士通1Mb FeRAM适用于智能电表等电器设备

       富士通微电子(美国)公司日前推出两款1Mb容量的FeRAM (铁电存储器)，分别是MB85R1001 (×8位)和MB85R1002 (×16位)。它们均采用最新的0.35μm 1T1C单元技术开发，具有读写速度快、功耗低且数据保存持久的特点。

        富士通公司称，上述两款FeRAM的设计完全适合用作智能电表、办公设备(包括打印机、复印机和便携资料处理设备)及家用电器(如微波炉和洗衣机)中的非易失性存储器。此器件兼具RAM和ROM的特点，支持包括存储安全信息及状态监控等功能。

       其中MB85R1001 FeRAM存储格式为128K字×8，而MB85R1002为64K字×16。这两款器件的工作电源电压在3V至3.6V之间，读取时间为100ns，读写周期为250ns。数据保持时间超过10年，可存取次数大于100亿，工作温度范围为-40℃到85℃。